|
|
氧化鎵 |
| CAS No.: |
12024-21-4 |
| 分子式： |
Ga2O3 |
| 分子量： |
187.44 |
| 備注： |
中文名稱氧化鎵中文同義詞氧化鎵(IV),99.999%(METALSBASIS);氧化鎵(METALSBASIS);氧化鎵(III);氧化鎵,99.999%(METALSBASIS);氧化鎵,PURATRONIC|R,99.999%(METALSBASIS);氧化鎵,99.995%(METALSBASIS);氧化鎵,99.99%(METALSBASIS);氧化鎵,PURATRONIC,99.999%(METALSBASIS)英文名稱Gallium(III)oxide英文同義詞galliumtrioxide;Gallium(III)oxide(99.999%Ga)PURATREM;Galliumoxidewhitepowder;GalliuM(III)oxide>=99.99%traceMetalsbasis;Gallium(III)oxide(Ga2O3);Gallium(III)oxide,99.999%tracemetalsbasis;Gallium(Ⅲ)oxide;GalliuM(Ⅵ)oxideCAS號12024-21-4分子式Ga2O3分子量187.44EINECS號234-691-7相關(guān)類別生化試劑-其他化學(xué)試劑;催化劑;鎵;生化試劑;稀土;催化和無機(jī)化學(xué);常規(guī)氧化物粉體-氧化鎵;原料;稀土氧化物;精細(xì)化工原料;CatalysisandInorganicChemistry;ChemicalSynthesis;Gallium;GalliumMetalandCeramicScience;Oxides;metaloxide;化工原料;氧化物;無機(jī)化工原料Mol文件12024-21-4.mol結(jié)構(gòu)式氧化鎵性質(zhì)熔點(diǎn)1740°C密度6.44g/mLat25°C折射率1.92儲存條件Sealedindry,RoomTemperature溶解度溶于熱酸溶液形態(tài)粉狀或塊狀比重6.44顏色白色水溶解性Solubleinacids.Insolubleinwater晶體結(jié)構(gòu)Corundumtype晶系ThreesidesMerck14,4346空間群R3c晶格常數(shù)a/nmb/nmc/nmα/oβ/oγ/oV/nm30.498250.498251.343390901200.2888穩(wěn)定性穩(wěn)定的。與鎂不相容。InChIKeyQZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-NCAS數(shù)據(jù)庫12024-21-4(CASDataBaseReference)EPA化學(xué)物質(zhì)信息Galliumtrioxide(12024-21-4)氧化鎵用途與合成方法簡介氧化鎵是一種寬禁帶半導(dǎo)體，禁帶寬度Eg＝4．9eV，其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。這些是氧化鎵的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)Chemicalbook域，而其在未來的功率、特別是大功率應(yīng)用場景才是更值得期待的。性能Ga2O3是金屬鎵的氧化物，同時也是一種半導(dǎo)體化合物。其結(jié)晶形態(tài)截至目前已確認(rèn)有α、β、γ、δ、ε五種，其中，β結(jié)構(gòu)最穩(wěn)定。與Ga2O3的結(jié)晶生長及物性相關(guān)的研究大部分圍繞β結(jié)構(gòu)展開。研究人員曾試制了金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，盡管屬于未形成保護(hù)膜鈍化膜的簡單結(jié)構(gòu)，但是樣品已經(jīng)顯示出耐壓高、泄漏電流小的特性。在使用碳化硅和氮化鎵制造相同結(jié)構(gòu)的元件時，通常難以達(dá)到這些樣品的指標(biāo)。應(yīng)用氧化鎵是一種新興的功率半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度大于硅，氮化鎵和碳化硅，在高功率應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢愈加明顯。但氧化鎵不會取代SiC和GaN，后兩者是硅之后的下一代主要半導(dǎo)體材料。氧化鎵更有可能在擴(kuò)展超寬禁帶系統(tǒng)可用的功率和電壓范圍方面發(fā)揮作用。而最有希望的應(yīng)用可能是電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器，如電動汽車和光伏太陽能系統(tǒng)。制備方法氧化鎵制備主流方法：按β-Ga2O3照晶體生長過程中原料狀態(tài)的不同，可以將晶體生長方法分為：溶液法、熔體法、氣相法、固相法等。熔體法是研究最早也是應(yīng)用最為廣泛的晶體生長方法，也是目前生長β-Ga2O3體塊單晶常用的方法。通過熔體法可以生長高質(zhì)量、低成本的β-Ga2O3體塊單晶，其中最為常用的生長方法主要有兩種：提拉法和導(dǎo)模法。用途氧化鎵可以作為科研試劑,用于生化研究；可用于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層以及紫外線濾光片；可用作半導(dǎo)體材料，用于光譜分析測定鈾中雜質(zhì)；它也可以用來制取釓鎵石榴石、催化劑、化學(xué)試劑等,制備Sr2CuGaO3S（稀有方錐體鎵的例子）時的原料。生產(chǎn)方法1.向三氯化鎵GaCl3的熱水溶液中加NaHCO3的高濃熱水溶液，煮沸到鎵的氫氧化物全部沉淀出來為止。用熱水洗滌沉淀至沒有Cl-為止，在600℃以上煅燒則得到β-Ga2O3。殘留NH4Cl時，在250℃就和Ga2O3反應(yīng)，生成揮發(fā)性GaCl3。2.這是高純Ga2O3的制法。以高純金屬Ga為陽極，溶解于5%～20%H2SO4溶液里，向溶液加氨水，冷卻，將Ga(NH4)(SO4)2反復(fù)結(jié)晶，在105℃干燥，在過量氧的條件下在800℃灼燒2h，則得到純度為9999%～99.9999%的產(chǎn)品。3.稱取1kg99.9999%的高純鎵放入三頸燒瓶中，加入高純硝酸，使鎵全部溶解，然后過濾，濾液倒入三頸燒瓶中，移至電爐上蒸發(fā)（在通風(fēng)櫥中進(jìn)行），濃縮到接近結(jié)晶時，將溶液移置于大號蒸發(fā)皿中蒸發(fā)至干。將蒸干的Ｇａ（ＮＯ３）３放在馬弗爐中進(jìn)行灼燒，溫度控制在550℃，灼燒５ｈ，待冷卻后取出成品，得１．２ｋｇ高純氧化鎵。類別有毒物品毒性分級低毒急性毒性口服-小鼠LD50:10000毫克/公斤;腹腔-小鼠LD50:5000毫克/公斤儲運(yùn)特性庫房通風(fēng)低溫干燥滅火劑干粉、泡沫、砂土、二氧化碳,霧狀水職業(yè)標(biāo)準(zhǔn)STEL3毫克/立方米 |
| 結(jié)構(gòu)式： |
 |
 |
|
|
聯(lián)系人： |
金經(jīng)理 |
地 址： |
湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)光谷大道03號 |
郵 編： |
430000 |
電 話： |
18995560451 |
手 機(jī)： |
15102708508 |
傳 真： |
18995560451 |
Q Q： |
 |
網(wǎng) 址： |
www.hbdhchem.com |
電子郵件： |
709783996@qq.com |
|
聲明：以上信息未經(jīng)本網(wǎng)證實(shí),僅供參考,華夏化工網(wǎng)不承擔(dān)任何風(fēng)險責(zé)任. |
|
